Navegando por Palavras-chave "Transistor metal óxido semi-condutor"

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    Acesso aberto (Open Access)
    Sistema de amplificação aplicado às linhas de transmissões não lineares
    (Universidade Federal de São Paulo, 2021-02-24) Moraes, Henrique Monteiro de [UNIFESP]; Silva, Lauro Paulo Neto [UNIFESP]; Rossi, José Osvaldo; http://lattes.cnpq.br/6776235915192672; http://lattes.cnpq.br/3979447098275675; http://lattes.cnpq.br/8308511017259039
    Esta monografia trata do projeto e construção de sistemas de amplificação para ondas de sólitons com frequência da ordem de 30 MHz, buscando aumentar a profundidade de modulação em tensão, sem perder suas caracterísiticas. As ondas geradas por Linhas de Transmissões Não Lineares, usando diodo varactor como elemento não linear, apresentam uma baixa potência de saída da ordem de alguns miliwatts e uma profundidade de modulação em tensão de aproximadamente 10,65 volts. Com o objetivo de amplificar este sinal foram estudados e projetados amplificadores em média frequência e para isso foram utilizados transistores bipolares de junção (TBJ) e transistores de efeito de campo (FET). Dentre estes componentes, foram utilizados nos projetos e construção dos sistemas de amplificação os transistores bipolares de junção modelo BC337-25 e BSX20, além de um transistor metal óxido semicondutor de efeito de campo (MOSFET) modelo RD06HVF1, todos trabalhando em frequências VHF, cuja faixa é de 30 a 300 MHz. Para casar a impedância não linear da linha com a impedância dos amplificadores foi utilizado um transformador de pulsos para minimizar as interferências na curva de polarização dos transistores. O software LTSpice foi utilizado como ferramenta de simulação para verificar o funcionamento dos sistemas de amplificação junto com a linha de transmissão não linear. Com relação ao amplificador utilizando o MOSFET, os resultados de simulação mostraram um considerável aumento na profundidade de modulação. Na configuração do amplificador com melhores resultados, este valor medido na entrada no transistor foi de 3,1 V e o valor obtido na saída do mesmo foi de 33,4 V, representando um ganho de 20,65 dB, ou seja, o sinal aumentou aproximadamente em 10 vezes. Os resultados experimentais mostraram valores parecidos, sendo 2,52 V o valor da profundidade de modulação medido na entrada do transistor e em sua saída o valor obtido foi de 43,6 V, representando um ganho de 24,76 dB refletindo em um aumento de 17,3 vezes. Comparado com o sinal original gerado pela LTNL, que possui profundidade de modulação em tensão de aproximadamente 10,65 V, obteve-se ganhos de 9,93 dB nos ensaios simulados e 12,24 dB nos testes de bancada, ou seja, a profundidade de modulação em tensão aumentou em 3,14 e 4,1 vezes nos resultados simulados e experimentais, respectivamente. Com relação aos amplificadores com o emprego de transistores bipolares de junção, verificou-se através de simulações que os ganhos são bastante reduzidos e que eles geram distorções e deformações no sóliton gerado pela LTNL. Além destes resultados, verificou-se que a utilização do transformador de pulso como elemento casador de impedância entre a linha de transmissão não linear e o amplificador diminui os efeitos de reflexão e não provocou alteração no formato e frequência do sinal.