Magnetoresistive hybrid transistor in vertical architecture

Magnetoresistive hybrid transistor in vertical architecture

Autor Meruvia, M. S. Google Scholar
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Instituição Univ Fed Parana
Universidade de São Paulo (USP)
Universidade Federal de São Paulo (UNIFESP)
Resumo We report the development of a hybrid semiconductor-metal-semiconductor permeable-base transistor in vertical architecture, which operates by positive charge carrier transport. This transistor has a p-type silicon collector, a thin tin layer as base and a conjugated polymer, poly(9,9-dioctyl-2,7-fluorenylenevinylene), as emitter material. the transistor transport characteristics are dependent on the applied magnetic field and the base transport factor for positive charge carriers is nearly ideal.
Idioma Inglês
Data de publicação 2005-11-01
Publicado em Physica Status Solidi A-applications and Materials Science. Weinheim: Wiley-v C H Verlag Gmbh, v. 202, n. 14, p. R158-R160, 2005.
ISSN 0031-8965 (Sherpa/Romeo, fator de impacto)
Publicador Wiley-Blackwell
Extensão R158-R160
Fonte http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200521270
Direito de acesso Acesso restrito
Tipo Artigo
Web of Science WOS:000233693100005
Endereço permanente http://repositorio.unifesp.br/handle/11600/28523

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